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                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          發布時間:2024-06-08 責任編輯:lina

                                          【導讀】MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率,設計者需要知道這些參數。例如,設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容,因為這將影響開關速度,從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。


                                          MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率,設計者需要知道這些參數。例如,設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容,因為這將影響開關速度,從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖1. 功率MOSFET的組件級電容


                                          三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待:組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如,圖1說明了一個功率MOSFET的組件級電容。圖2到圖4說明了一個功率MOSFET的組件級和電路級電容之間的關系。對BJT和IGBT器件也可以進行類似的電容測量。


                                          關系如下:


                                          • CISS = CGS + CGD = 輸入電容

                                          • COSS = CDS + CGS = 輸出電容

                                          • CRSS = CGD = 反向傳輸電容

                                                        

                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖2. 功率MOSFET的輸入電容        圖3. 功率MOSFET的輸出電容        圖4. 功率MOSFET的反向傳輸電容


                                          器件的電容通常隨所施加的電壓而變化。因此,完整的表征需要了解在最大額定電壓下的電容。本應用程序說明了如何使用4200A-CVIV開關提供的偏置功能以及在Clarius中測量CISS 、COSS和CRSS的。CVIV可以很容易地在I-V和C-V測量值之間切換,它還可以將C-V測量值移動到任何設備終端,而無需重新連接或抬起探針。


                                          本文還顯示了儀器的直流輸出電壓如何從200V 加到400V,進行漏極上更高電壓的測量,這有利于測試更高功率的半導體,如GaN器件。該功能已在Clarius V1.6以上的版本添加并更新。


                                          一、設備連接


                                          本文描述的所有SMU和CVU連接都是通過4200A-CVIV進行連接的。CVIV可以有一個4210-CVU或4215-CVU,最多可以有四個SMU連接到一個設備上。使用4200A-CVIV提供了以下優點:


                                          • 內置項目可測量高達200V和400V的CISS、 CRSS和COSS。

                                          • 4200A-CVIV開關支持自動測量。不需要重新連接設備或電纜。

                                          • 開路和短路的C-V補償。


                                          圖5顯示了MOSFET與CVIV的連接。對于這個特定的應用程序,至少需要三個SMU和一個CVU來完成測試。圖6顯示了封裝的MOSFET的實際CVIV連接。請注意,CVIV 上的所有通道都是打開的。4200A-CVIV 的四個通道將根據每次測試的配置進行配置,因此每次測試都不需要電纜重新連接。

                                                         

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                                          圖5. MOSFET連接到4200A-CVIV的輸出端                圖6. 連接到4200A-CVIV的封裝MOSFET


                                          二、在Clarius軟件中配置測量


                                          Clarius的庫有兩個在mosfet上執行三端電容測量的項目。這兩個項目在 Clarius 中配置相似,不同之處在于能力。一個項目,“MOSFET 3-terminal C-V Test Using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一個SMU加到漏端,從0到200V直流偏置電壓掃描。另一個項目,“MOSFET 3-terminal C-V tests up to 400 V using 4200A-CVIV Bias Tees”使用一種新方法將電壓從0到400V。這種方法同時使用三個SMU掃描,每個器件端口上一個SMU,提供一個400V直流差分電壓。


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖7. 使用SweepV用戶模塊的MOSFET-CVIV-CV-Bias-Tees項目


                                          圖7顯示了“使用4200A-CVIV BiasT的MOSFET3端C-V測試”項目,該項目使用了hivcvulib中的SweepV用戶模塊。該用戶模塊允許在漏極處進行一次掃描,并在器件每個端口處進行電容測量。首先,進行開路和短路補償,以確保準確的測量。執行這些補償需要執行特定的配置步驟。它們被稱為補償測量,并在項目樹中提供。在執行任何測試之前,將對每個測試執行補償。4200A可以存儲對每個配置的補償,可以執行多個測試。該項目有五種不同的配置:CISS、CRSS、COSS、CGS和CDS 。


                                          CVIV配置


                                          必須為每個測試配置CVIV。CVIV有許多輸出模式,這些都在用戶手冊中有描述。表1列出了各種輸出模式。


                                          表1. 4200A-CVIV輸出模式


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解


                                          圖8到圖12顯示了對每個元件和電路級電容測量的CVIV的每個通道的狀態。


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                                          圖8顯示了CGS的配置,當SMU在漏極處掃描直流電壓時,該測試測量了MOSFET的柵極和源極之間的電容。圖9顯示了CDS的配置,當SMU在漏極處掃描直流電壓時,該測試測量了漏極和源極之間的電容。圖10顯示了CRSS配置。該測試測量MSMU掃掃漏極直流電壓時MOSFET的反向傳輸電容。

                                                      

                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解


                                          圖11顯示了CISS的配置,該測試測量MSU掃描直流電壓時,MOSFET的輸入電容。圖12顯示了COSS配置,該測試在SMU掃描漏極的直流電壓時測量MOSFET的輸出電容。一旦執行了測試,數據就會被繪制出來。圖13顯示了由4200A生成的MOSFET的電容特性數據。


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                                          圖13. MOSFET掃描到200V的電容特性


                                          三、400V直流電壓掃描


                                          利用4200A-CVIV多開關同時掃描多個SMU,將MOSFET器件的輸出電壓翻倍至400V的新方法。這些測試通常在OFF狀態(VGS = 0V)下進行。通常在漏極有一個掃描SMU,使用4200A-CVIV內置的偏置能力,在每個終端測量電容。


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖14. 三個SMU同時掃描


                                          圖14顯示了連接到MOSFET的三個端口的三個掃描SMU。SMU1和SMU2將使用高達400V的差分電壓。SMU2和SMU3必須在相同的電壓下同時掃描,這可以使柵極下降0V。使用這種方法,我們可以在Drain端產生一個400V的掃描電壓。此方法僅用于封裝器件,而不適用于晶圓級設備。


                                          這些測量是使用multiple SMU_SweepV用戶模塊執行的,可在hivcvulib用戶庫中獲得。


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖15. 輸出高達400V直流差分的項目


                                          圖 15 顯示了使用用戶模塊Multiple SMU_SweepV的4200A-CVIV Bias Tee項目進行高達400V的MOSFET三端口C-V測試。項目樹的設置方式與上一個項目相同。所有的CVIV配置操作,包括補償,都以完全相同的方式完成。唯一的區別是,還必須配置另外兩個SMU。默認情況下,測試應該在Drain上從0掃到400V。柵極和源極SMU應同時在相同的電壓下掃描。用戶還能夠根據被測試設備的阻抗來改變CVU設置,如頻率、范圍和速度。


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖16. MOSFET掃描到400V的電容特性


                                          MOSFET器件的高壓CV測試詳解

                                          圖17. 400V掃描的輸出數據


                                          圖16顯示了由4200A-SCS中測試MOSFET上高達400V的C-V掃描圖。差分電壓為一個計算值。區別在于漏極和源極之間的電壓不同。圖17顯示了輸出數據,其中列出了三個端口上的掃描電壓。Diffvoltage是計算出的差分電壓值。


                                          四、總結


                                          MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身電容的影響。本應用程序說明了如何使用4200A-CVIV能夠在不需要重新連接任何電纜的情況下,在200V直流偏置的情況下進行這些測量,從而減少了用戶錯誤并允許自動測試。它還允許直接測量電路級電容,而不需要通過組件級電容,這允許電路級設計者更快地獲得所需的數據。


                                          此外,當在三端器件上測量電容時,通常有一個端子不包括在測量中,其電容可能會影響整體測量。在每個端口使用偏置網絡消除了外部電容或短路的影響。


                                          我們還展示了一種新的方法,通過同時使用三臺SMU進行掃頻,使在三端器件上的4200A的直流偏置加倍。柵極和源極SMU在同一極性上同時掃描,以避免設備的開態狀態的影響。漏極SMU將掃描源極和柵極的相反極性,從而使差分電壓翻倍。這支持在漏極處進行高達400V的電壓掃描,這有利于測試更高功率的半導體,如GaN。


                                          免責聲明:本文為轉載文章,轉載此文目的在于傳遞更多信息,版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題,請聯系小編進行處理。


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